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中科院长春应用化学研究所李敬&汪尔康Anal. Chem.:单轴静电纺丝制备水/热稳定性较好的CsPbBr3@PAN纳米纤维及其在可逆荧光开关中的应用
2023/2/20 9:45:47 易丝帮

DOI: 10.1021/acs.analchem.2c02137

 

全无机卤化物钙钛矿纳米晶体具有令人着迷的光学特性,作为一种很有前途的纳米发射体受到了越来越多的关注。然而,由于胶体对外部环境的固有稳定性较差,其实际应用受到了很大限制。本文提出了一种通过单轴静电纺丝策略将CsPbBr3 NCs原位封装到高密度多通道聚丙烯腈(PAN)纳米纤维中的简便有效策略。这种简便的单轴静电纺丝策略能够在不引入稳定剂的情况下在PAN纳米纤维中原位形成CsPbBr3 NCs。值得注意的是,获得的CsPbBr3纳米纤维不仅具有高量子产率(≈48%)的强荧光,而且由于PAN的周边保护基质,在暴露于水和空气时也表现出高稳定性。将CsPbBr3@PAN纳米纤维薄膜浸入水中100天后,CsPbBr3@PAN纳米纤维的量子产率保持在原始值的87.5%,远高于使用CsPbBr3 NCs的量子产率。此外,由于电致变色材料钌紫与具有优异水稳定性的CsPbBr3@PAN纳米纤维薄膜的荧光光谱重叠,从而构建了具有良好抗疲劳性的可逆荧光开关。

 

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图1.(A)CsPbBr3@PAN薄膜在350nm激发光下的吸收光谱和荧光发射光谱。插图显示了样品在紫外光下的照片。(B)CsPbBr3@PAN薄膜(红线)和CsPbBr3 NCs(黑线)的荧光寿命。(C)CsPbBr3@PAN薄膜(绿线)和CsPbBr3 NCs(蓝线)的XRD图谱,以及块状CsPbBr3 NCs的参考图谱(ICSD#01-072-7929,红线)。(D)CsPbBr3@PAN薄膜的SEM图像。


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图2.(A)CsPbBr3@PAN薄膜的TEM图像。(B)单根CsPbBr3@PAN纳米纤维的TEM图像。(C)CsPbBr3@PAN薄膜的HRTEM图像。插图:单个点的HRTEM图像,比例尺为5nm。(D)CsPbBr3@PAN纳米纤维的元素映射图像。


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图3.(A和B)不同比例的OA和OAm对薄膜荧光特性的影响。(C)不同比例的OA和OAm形成的CsPbBr3@PAN薄膜的XRD图谱。(D-I)不同比例的OA和OAm形成的CsPbBr3@PAN薄膜的TEM照片。


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图4.(A)温度对CsPbBr3@PAN薄膜荧光特性的影响。该图显示了加热后薄膜的荧光变化。(B)CsPbBr3@PAN薄膜在不同时间加热后的热稳定性。(C)CsPbBr3@PAN薄膜和CsPbBr3 NCs在25℃下的水和空气中的稳定性。(D)CsPbBr3@PAN薄膜在水中3天和100天的荧光照片。


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图5.(A)开路中的RP(亮紫色)层(黑线),以及施加还原电压后(红线)和氧化电位(+0.8V)后(紫线)的RP(无色)层的吸收光谱;CsPbBr3@PAN薄膜的荧光光谱(绿线)。插图中显示的是RP(亮紫色)层(左)和RP(无色)层之间的过渡照片。(B)RP/CsPbBr3@PAN薄膜在开路中(红线)、施加氧化还原电压(-0.8V)后(绿线)以及施加氧化电位(+0.8V)后(黑线)的荧光光谱。插图:由紫外线透照器(365nm)激发的荧光开关的照片,从左到右分别为在开路状态下关闭,在还原电压下打开(-0.8V,20s),在氧化电压下关闭(+0.8V,20s)。(C)RP/CsPbBr3@PAN薄膜在515nm处的荧光强度,其在20s内于+0.8和-0.8V之间切换六个循环。(D)七个循环中荧光开关的开关比。


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