DOI: 10.1016/j.seppur.2022.121221

为了有效、选择性地去除废水中的阳离子有机污染物，采用简便静电纺丝法合成了SiO2/Ga2O3复合样品。与Ga2O3相比，所得复合材料对阳离子罗丹明B（RhB）染料和亚甲蓝（MB）染料的去除效率更高，这是由于复合材料表面电荷性质的变化和光生电子-空穴对分离效率的提高。在静电吸附和光催化的协同作用下，氙灯照射30min后，RhB和MB染料的去除效率超过95%。通过测试合成样品的吸附性能、zeta电位和光致发光（PL）光谱，研究了阳离子染料的选择性去除机理。本研究为合成基于Ga2O3纳米材料的高性能阳离子染料去除剂提供了一种新颖有效的方法。

图1.Ga2O3（a）、GT100（b）、GT200（c）、GT300（d）、GT400（e）和GT600（f）的SEM照片。

图2.Ga2O3（a1和a2）、GT200（b1和b2）和GT300（c1和c2）的TEM和HR-TEM像；GT300特定位置的TEM图像（d），以及Ga（e）、O（f）和Si（g）元素的相应分布。

图3.Ga2O3、GT100、GT200、GT300、GT400和GT600的XRD图谱。

图4.Ga2O3、GT100、GT200、GT300、GT400和GT600的XPS全扫描光谱（a）以及Ga3d（b）、O1s（c）和Ga3p/Si2p（d）对应的高分辨率XPS光谱。

图5.氙灯照射下Ga2O3、GT100、GT200、GT300、GT400、GT600和TEOS样品对RhB染料（a,b）和MB染料（c,d）的去除曲线和光催化率。

图6.GT200对RhB和GT300对MB/MO染料的吸附-光催化性能。

图7.GT系列样品暗吸附RhB（a,b）和MB（c,d）染料的伪一级模型和伪二级模型。

图8.Ga2O3、GT400和TEOS样品在不同PH值下的Zeta电位值。

图9.Ga2O3、GT100、GT200、GT300、GT400和GT600的PL光谱。

图10.Ga2O3（a）和SiO2/Ga2O3复合材料（b）染料去除机理示意图。