DOI: 10.1039/d2nr00017b

本文报告了用Ti部分取代Ge对静电纺丝制备NASICON Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3 （LAGP）纳米纤维性能的影响。X射线衍射、电子显微镜和核磁共振光谱表明，用Ti代替少量Ge（高达20%）有利于提高LAGP纤维的纯度和形态。当使用Ti取代的LAGP（LAGTP）纤维作为填料来开发复合聚合物电解质时，与普通聚合物电解质相比，20℃时的离子电导率提高了1.5倍。此外，高于40℃时，基于LAGTP纤维的复合电解质比基于同等LAGP纤维的电解质具有更高的导电性。综上，本研究为优化现有方法和开发新的NASICON基电解质合成方法做出了重大贡献。

图1.LAGTP纤维的制备过程示意图。

图2.原始以及煅烧（a,b）LAGTP01、（c,d）LAGTP02、（e,f）LAGTP03和（g,h）LAGP的SEM图像（插图为高放大倍率下的纤维）。LAGP、LAGTP01、LAGTP02和LAGTP03的XRD图谱。（（*）：Li9Al3(PO4)2(P2O7)3；（†）：AlPO4；（‡）：TiP2O7；（°）：Li4P2O7）。

图3.（a）LAGTP01、（b）LAGTP02和（c）LAGTP03的SEM/EDS分析。（d）中空LAGTP01纤维的横截面TEM图像。

图4.（a）LAGTP01、LAGTP02和LAGTP03的7Li、（b）27Al和（c）31P MAS NMR。

图5.（a）CE-LAGP、（b）CE-LAGTP01、（c）CE-LAGTP02、（d）CE-LAGTP03和（e）CE-LATP的SEM图像。（f）对复合和聚合物电解质进行EIS分析的装置方案。（g）用于EIS数据拟合的等效电路。与PE、CE-LAGP和CE-LATP相比，（h）CE-LAGTP电解质和（i）LAGTP03在20-80℃温度范围内的代表性Arrhenius图。（j）20、40和80℃下离子电导率与Ti含量的关系。