DOI:10.1016/j.ceramint.2020.10.072

近年来，超宽带隙半导体材料由于其在光催化领域的巨大潜力而受到人们的广泛关注。在这项研究中，通过静电纺丝合成了各种浓度的锌掺杂Ga2O3纳米纤维。与未掺杂的Ga2O3纳米纤维相比，它们对罗丹明B染料具有更好的光催化降解性能。锌掺杂剂通过置换掺杂取代了Ga位点，增加了氧空位浓度并提高了光催化性能。当Zn浓度增加时，形成了Ga2O3/ZnGa2O4杂化结构，进一步提高了光催化性能。Zn掺杂和异质结造成的光生载流子分离是光催化性能增强的主要原因。这项研究为基于Ga2O3纳米材料的高性能光催化剂的制备提供了实验数据。

图1.GZ0（a），GZ1（b），GZ2（c），GZ5（d），GZ8（e）和GZ10（f）的SEM图像。

图2.GZ0（a，b），GZ2（c，d），GZ5（e，f）和GZ10（g，h）的TEM和HR-TEM图像。

图3.GZ0，GZ1，GZ2，GZ5，GZ8和GZ10的实尺XRD图。

图4.放大的XRD图谱，范围为31.0-33.0°（a），34.5-37°（b），42-45°（c）和74-77.5°（d）。

图5.GZ0，GZ1，GZ2，GZ5，GZ8和GZ10（a）的XPS全扫描光谱以及Ga 2p（b），O 1s（c）和Zn 2p（d）的相应高分辨率XPS光谱。

图6.GZ0，GZ1，GZ2，GZ5，GZ8和GZ10的UV-vis DRS（a）和相应的Tauc图（b）。

图7.在氙灯照射下，原始RhB溶液和含GZ0，GZ1，GZ2，GZ5，GZ8和GZ10催化剂的RhB溶液的光降解曲线（a）和光降解速率（b）。

图8.GZ0，GZ1，GZ2，GZ5，GZ8和GZ10的PL光谱。

图9.Zn掺杂引起氧空位增加（a）和[ZnO4]四面体形成（b）的示意图。

图10.锌掺杂Ga2O3（a）和Ga2O3/ZnGa2O4异质结（b）的光催化反应过程示意图。