DOI:10.1016/j.talanta.2020.121277

随着农药的广泛使用，农药残留问题已成为人们关注的焦点。在这项工作中，通过简单的两步水热法成功地制备了在电纺石墨化碳纳米纤维膜（NiCo2S4/GCNF）上生长的NiCo2S4纳米针阵列，并将其进一步应用于检测杀菌剂嘧霉胺（PMT）。NiCo2S4阵列具有独特的核壳结构和粗糙的表面，提供了暴露于电解质的大量电化学活性位点。NiCo2S4/GCNF修饰电极具有出色的电催化活性，电极表面受扩散和吸附过程控制。当应用于PMT测定时，NiCo2S4/GCNF传感器具有0.06至800μM的宽线性范围，且检测限低（20 nM）。此外，该传感器还显示出其他突出的优点，包括制备简单、成本低、可重复性好以及在实际样品中的良好应用。这种吸引人的分析特性归因于NiCo2S4的高电催化活性和GCNF骨架的优异电导率。另外，还研究了PMT在NiCo2S4/GCNF电极上的详细氧化机理。结果表明，NiCo2S4/GCNF是一种很有前途的PMT传感器平台。

图1.NiCo2S4/GCNF的SEM（A，B）、TEM（C，D）、HRTEM图像（E）和SAED图谱（F）。

图2.NiCo2S4/GCNF的EDS图谱（A）以及S（B）、Co（C）和Ni（D）的元素映射。

图3.NiCo2S4/GCNF复合材料的XPS光谱：Ni 2p（A）、Co 2p（B）和S 2p（C）。

图4.（A）GCE、GCNF、NiCo2S4粉末和NiCo2S4/GCNF电极在0.1 M PBS（pH3.0，CPMT=50μM）中的CV曲线。（B）GCE、GCNF、NiCo2S4粉末和NiCo2S4/GCNF的奈奎斯特图。

图5.（A）在GCE表面（CPMT=10μM）具有不同涂层体积的NiCo2S4/GCNF的CV。（B）改性体积与氧化峰值电流之间的关系。（C）NiCo2S4/GCNF在具有不同pH值（CPMT=10μM）的0.1 M PBS中的CV。（D）pH对电位和电流响应的影响。

图6.（A）不同扫描速率下NiCo2S4/GCNF电极的CV，（B）峰值电流与扫描速率之间的关系，（C）扫描速率的平方根对峰值电流和对数（峰值电流）的影响，（D）电位与ln（扫描速率）之间的关系。

图7.（A）PMT在不同浓度NiCo2S4/GCNF修饰电极上的DPV响应，（B）PMT的校准图。

图8.NiCo2S4/GCNF电极在0.1 M PBS（pH3.0）中存在0.1 mM PMT（或包含20倍干扰）时的氧化峰电流直方图。